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　　虽然全球碳化硅领域主要市场需求和主流竞争仍聚焦于6英寸，但碳化硅行业的格局已被天岳先进成功打破。放眼全球与未来，天岳先进引领大尺寸衬底突破，已让全球碳化硅产业迈入全新发展时代。据统计，目前全球已有超过10条8英寸SiC产线规划落地，德国英飞凌、博世，日本罗姆等企业已经明确了8英寸SiC产线英寸晶圆上制造的SiC MOSFET芯片成本有望降低54%，大尺寸将进一步加速碳化硅的大规模应用。8英寸增量市场是未来发展的核心，天岳先进已在不同尺寸产品上均建立起优势，成为行业大尺寸化趋势的最具话语权和实力的引领者。

　　天岳先进的领跑，源于其战略和文化的驱动。公司率先定位开展国际竞争，凭借过硬品质获得全球客户高度认可。2025年获得博世颁发的“全球供应商奖”，并且已连续多年斩获博世集团的各类奖项。在技术创新层面，天岳先进在业内首创使用液相法制备技术，能够制备无宏观缺陷的8 英寸碳化硅衬底。公司最早布局12英寸碳化硅技术，2024年11月推出业内首款12英寸碳化硅衬底，2025年完成导电型、半绝缘型、P型全产品矩阵构建。在底层技术创新层面，公司坚持自主研发与底层突破，掌握涵盖设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工及材料质量表征的全流程核心技术。